全球首款96层4D NAND年内量产 缩减三成芯片尺寸

SK海力士昨日宣布推出全球首款TLC(三级单元)96层512Gb CTF(电荷存储闪存)4D NAND闪存阵列,采用3D CTF设计和PUC(Peri Under Cell)技术

SK海力士昨日宣布推出全球首款TLC(三级单元)96层512Gb CTF(电荷存储闪存)4D NAND闪存阵列,采用3D CTF设计和PUC(Peri Under Cell)技术,将于今年年底,最近完工的清州工厂的M15工厂大规模生产。


SK海力士将其3D CTF与PUC结合在一起,与集成3D浮动门和PUC的方式不同。因此,该公司将该产品命名为“基于CTF的4D NAND闪存”,以区别于当前的3D NAND闪存技术。


与SK海力士72层512Gb 3D NAND相比,新开发的4D NAND芯片尺寸缩小了30%以上,每个晶圆的位生产率提高了49%,读写性能更高。此外,其数据带宽翻了一番,达到业界最大的64KB。随着多栅极绝缘体结构的引入,其数据I / O速度在1.2V的工作功率下达到1,200Mbps。


凭借96层512Gb 4D NAND,SK海力士将在年内推出具有自己的控制器和固件的1TB客户SSD。此外,企业级固态硬盘将于2019年下半年推出。该公司还将在2019年上半年推出UFS 3,以满足高密度移动市场的需求。此外,2019年还将推出超高密度96层1TB TLC和QLC。


根据SK海力士副总裁兼NAND营销主管JT Kim的说法,这款基于CTF的96层4D NAND具有业界最高的成本竞争力和性能,并将成为该公司NAND闪存业务的里程碑,作为开发未来产品的平台。今年开始大规模生产,M15的生产进一步扩大,以响应各种客户。


最近,SK海力士声称,为了应对2019年NAND闪存和DRAM价格的下滑,公司决定不仅要从2018年底开始减少投资规模,还要监控和调整生产容量在2019年。


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