Nexperia发布P沟道MOSFET,采用节省空间的坚固LFPAK56封装

P沟道MOSFET,采用节省空间的坚固LFPAK56封装

首次采用高鲁棒性、高空间利用率的 LFPAK56 (Power-SO8) 封装的 P 沟道 MOSFET 系列产品


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新器件符合 AEC-Q101 标准,适合汽车应用,可作为 DPAK MOSFET 的理想替代产品,在保证性能的基础上,将封装占位面积减少了 50% 以上。

▶ AEC-Q101 标准

▶ 占位面积减少了 50% 以上

新系列产品在 30 V 至 60 V 工作电压范围内可供选择,导通电阻 RDS(on) 低至 10 mΩ (30 V)。

LFPAK 封装采用铜夹片结构,由 Nexperia(安世半导体)率先应用,已在汽车等要求严格的应用领域中使用近 20 年。事实证明,该封装的可靠性远高于 AEC 标准要求,超出关键可靠性测试指标 2 倍,同时独特的封装结构还提高了板级可靠性。

以前只有 N 沟道器件才采用 LFPAK 封装。现在,由于工业需求,Nexperia(安世半导体)扩展了 LFPAK56 产品系列,将 P 沟道器件也囊括在内。

安世半导体的产品经理

Malte Struck 分析说:


“新款 P 沟道 MOSFET 面向极性反接保护;作为高边开关,用于座位调节、天窗和车窗控制等各种汽车应用。它们也适用于 5G 基站等工业应用场景。”

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