Nexperia(安世半导体)宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术

650V 氮化镓 (GaN) 技术


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新一代氮化镓技术针对汽车、5G 和数据中心等应用;新器件采用了传统的 TO-247 封装和创新的铜夹片贴片封装 CCPAK。


奈梅亨,2020 年 6 月 10 日:半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)宣布推出一系列采用新一代 H2 技术的全新高压氮化镓场效应管。

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新器件包含两种封装,TO-247 和 Nexperia(安世半导体)专有的 CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能,并具有更好的稳定性。由于采用了级联结构并优化了器件相关参数,Nexperia(安世半导体)的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制,应用设计大为简化;使用标准的硅 MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。 

新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔,减少了缺陷并且芯片尺寸可缩小约 24%。TO-247 封装的新器件,导通电阻 RDS(on) 降低到仅 41mΩ(最大值,25℃的典型值为 35mΩ),同时具有高的栅级阀值电压和低反向导通电压。CCPAK 封装的新器件,将导通电阻值进一步降低到 39mΩ(最大值,25℃的典型值为 33mΩ)。两种封装的新器件均符合 AEC-Q101 标准,可满足汽车应用的要求。

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