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SiC MOSFET的桥式结构

SiC MOSFET的桥式结构

SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作



在探讨“SiC MOSFET:桥式结构中Gate-Source电压的动作”时,本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍,这也是这个主题的前提。




SiC SiC MOSFET的桥式结构

下面给出的电路图是在桥式结构中使用SiC MOSFET时最简单的同步式boost电路。该电路中使用的SiC MOSFET的高边(HS)和低边(LS)是交替导通的,为了防止HS和LS同时导通,设置了两个SiC MOSFET均为OFF的死区时间。右下方的波形表示其门极信号(VG)时序。

upfile


该电路中HS和LS MOSFET的Drain-Source电压(VDS)和漏极电流(ID)的波形示意图如下。这是电感L的电流处于连续动作状态,即所谓的硬开关状态的波形。

upfile

横轴表示时间,时间范围Tk(k=1~8)的定义如下:

T1:LS为ON时、MOSFET电流变化的时间段

T2:LS为ON时、MOSFET电压变化的时间段

T3:LS为ON时的时间段

T4:LS为OFF时、MOSFET电压变化的时间段

T5:LS为OFF时、MOSFET电流变化的时间段

T4~T6:HS变为ON之前的死区时间

T7:HS为ON的时间段(同步整流时间段)

T8:HS为OFF时、LS变为ON之前的死区时间

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THE END
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