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中芯国际采购DUV光刻机,对比11亿一台的EUV光刻机,区别在哪里?

日前,中芯国际向阿斯麦采购了一批价值12亿美元的光刻机的消息,瞬间引起了业界的讨论。

日前,中芯国际向阿斯麦采购了一批价值12亿美元的光刻机的消息,瞬间引起了业界的讨论。

相关报道在网络上层出不穷,但因为业外人士对交易和设备的不了解,引起了一点小误会。

有媒体的说法“除了EUV光刻机,中芯国际几乎可以买到其他所有型号的光刻机”更是受到了阿斯麦官方的重视。随即,阿斯麦又发布了澄清声明。

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据阿斯麦官方表示,中芯国际与该公司签订的协议,与DUV光刻技术的现有协议相关

这意味着,中芯国际此次购买的设备,是现有技术的DUV光刻机。

这个说法已经非常严谨,那么中芯国际采购的DUV光刻机,与在业内外备受关注的、价值11亿一台的EUV光刻机,到底有什么区别呢?

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首先是光源上的区别。

DUV光刻机又名深紫外线光刻机,而EUV光刻机指的是极深紫外线光刻机。从名称上来看就能了解到,两者之间的光源差异。

DUV光刻机的光源波长为193nm,而EUV光刻机的光源波长为13.5nm。值得注意的是,后者的光源并非地球上天然存在的光线,需要特定的技术和设备才能够制造出来。

相比DUV光刻机的光源,EUV光刻机光源的更短,故而折射率更大、能量更大。

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其次是光路系统的区别。

DUV光刻机的光路,主要利用光的折射原理,而且透镜和晶圆之间可以采用不同的介质,来改变光刻性能。

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反观EUV光刻机,主要利用光的反射原理。而且,因为光源的特殊性需要真空操作。因为无论是水分子还是空气中的其他介质,都会让光源被吸收,从而造成损失。

最后是镜头质量要求的区别。

相比DUV光刻机,条件特殊且系统复杂的EUV光刻机对镜头质量更加严格。

资料显示,EUV光刻机需要反射透镜具备极高的光学精度,同时还需要反射镜表面镀有采用Mo/Si多层膜结构,以便于实现最佳反射率。

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而上述种种区别,造就了EUV光刻机和DUV光刻机在应用和价值上的最终区别。

笔者了解到,DUV光刻机只能做到25nm,在双工作台的加持下,才能够做到10nm。而EUV光刻机,则可以制造10nm及以下的高精度工艺晶圆。

前段时间,ASML还在更高端EUV光刻机的研发上实现了突破。这类新型EUV光刻机,能够满足2nm甚至1nm晶圆的制造需求。

综上所述,足以看出EUV光刻机对全球集成电路产业的重要性。也能够理解,为何ASML会被禁止向中国出口EUV光刻机、我国却依旧坚持自主研发EUV光刻设备。

文/谛林 审/QKF


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