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英飞凌推出车用650 V CoolSiC混合分立器件 可降低成本

英飞凌科技公司推出车用650 V CoolSiC™ 混合分立器件(Hybrid Discrete),内含一个50 A TRENCHSTOP™ 5快速开关IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor绝缘栅双极型晶体管)和一个CoolSiC肖特基二极管,可降低成本、提高性能和可靠性。将IGBT与肖特基二极管结合,可为硬交换拓扑实现高性价比平衡,且支持高完整性系统及双向充电,从而使该器件非常适用于快速开关汽车应用,如车载充电器(OBC)、功率因数校正(PFC)、DC-DC(直流-

英飞凌推出车用650 V CoolSiC混合分立器件 可降低成本
(图片来源: 英飞凌

集成的快速开关50 A IGBT可实现类似MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor金氧半场效晶体管)的断开性能并且优于纯硅解决方案。与常规的碳化硅MOSFET相比,即插即用的解决方案可缩短产品上市时间,并以较低的成本实现95%至97%的系统效率。此外,CoolSiC肖特基二极管还可降低导通和恢复损耗。与纯硅设计相比,该器件更适合硬交换,并将损耗降低30%。该二极管对冷却温度要求较低,因此可提供系统级高性价比平衡。

中国OBC供应商深圳威迈斯新能源股份有限公司(VMAX)的下一代OBC / DC-DC系统就采用了英飞凌最新的CoolSiC 混合分立器。该公司致力于开发汽车级电子产品,为客户提供高度可靠的OBC和DC-DC转换器

VMAX的研发总监Xu Jinzhu表示:“VMAX的理念是不断为客户创造最大价值。而与英飞凌合作,可为该理念的实现提供基础。CoolSiC 混合分立器可帮助VMAX简化驱动器设计、加速产品开发、降低成本并提高系统稳定性。集成的碳化硅二极管不带反向恢复电荷,可进一步优化系统的EMC(Electro Magnetic Compatibility电磁兼容性)特性,从而为图腾式开关PFC和DAB (Dual Active Bridge串联型双主动桥)等拓扑结构带来更大性能优势和更高性价比。”

英飞凌汽车大功率分立器件和芯片部门副总裁JürgenSpänkuch表示:“很高兴可以和VMAX达成合作。该项目将进一步凸显我们在车载充电器应用中领先地位。”

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