关键要点
・增加开关元件的栅极电阻会抑制噪声，但与之存在权衡关系的效率会降低，因此很好地权衡栅极电阻值的设置是非常重要的。
・将开关器件的损耗抑制在规定值以下时，其最大栅极电阻RG可以通过仿真来确认。
在实际的电路设计工作中，降噪是的一项重大课题，通常，可以通过提高开关器件的栅极电阻来抑制噪声，但其代价是效率降低（损耗增加），因此很好地权衡栅极电阻值的设置是非常重要的。在本文中，我们来探讨当将开关器件的损耗抑制在规定值以下时，最大栅极电阻RG的情况。另外，由于噪声需要实际装机评估，所以在这里省略噪声相关的探讨。
电路示例
该电路以Power Device Solution Circuit/AC-DC PFC的一览表中的仿真电路“A-5. PFC CCM 2-PhaseVin=200V Iin=5A”为例（参考图1）。关于更详细的电路图，还可以通过这里查看。
在本示例中，我们将通过仿真来探讨将图1所示的低边开关器件SiC MOSFET SCT2450KE的损耗抑制在5W以下时，作为噪声对策可以将栅极电阻RG提高到多高。
图1：PFC仿真电路“A-5. PFC CCM 2-Phase Vin=200V Iin=5A”
栅极电阻与损耗的关系
如“PFC电路：探讨适当的栅极驱动电压”中图10所示，在导通状态下，传统Si（硅）MOSFET的导通电阻Ron相对于VGS几乎恒定。相比之下，SiC MOSFET的Ron相对于VGS变化很大（如图11所示），因此VGS值的设置比Si MOSFET更重要。也就是说，如果SiC MOSFET的VGS值过低，就会导致导通损耗增加，效率变差。反之，如果为追求高效率而将VGS设置得过高，则结果可能会超出额定值，因此设置适当的VGS值是非常重要的。
SiC MOSFET导通时的损耗、漏极电流ID、漏-源电压VDS和栅极电压VGS之间的关系见右侧图2。发生该开关损耗的期间t1和t2可以用下列左侧公式来表示：
图2：导通损耗与ID、VDS、VGS的关系
通过这两个公式可以看出，开关损耗发生的时间t1、t2与RG成正比。
另外，此时ID和VDS的变化几乎呈线性，所以可以认为损耗也与RG成正比。
栅极电阻调整
图3表示使RG变化时SiC MOSFET的损耗仿真结果。为避免过于复杂，我们使Source用的电阻值和Sink用的电阻值以相同的倍率变化。
图3：改变RG值时的SiC MOSFET损耗仿真结果
