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雪崩光电二极管

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  碰撞电离过程   一般 光电二极管的反偏压在几十伏以下,而APD的反偏压一般在几百伏量级,接近于反向击穿电压。 当APD在高反偏压下工作,势垒区中的电场很强,电子和空穴在势垒区中作漂移运动时得到很大的动能。   它们与势垒区中的晶格原子碰撞产生电离,激发产生的二次电子与空穴在电场下得到加速又碰撞产生新的电子-空穴对,如此继续,形成雪崩倍增效应?。   特点:   (1)提高了光电二极管的灵敏度(具有内部增益102~104)。   (2)响应速度特别快,频带带宽可达100GHz,是目前响应速度最快的一种光电二极管。   常见结构:   雪崩光电二极管结构 65   图(a)在P型硅基片上扩散杂质浓度大的N+层,制成P型N结构;图(b)在N型硅基片上扩散杂质浓度大的P+层,制成N型P结构;图(c)所示为PIN型雪崩光电二极管。
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