~采用Nano Energy™技术的电源IC有助于使用新型二次电池的物联网设备长时间工作~

天线效率在智能手机的整体 RF 性能中发挥着至关重要的作用。然而，当前的智能手机工业设计趋势和 RF 需求（尤其是即将过渡至 5G），意味着智能手机必须要将更多的天线安装到更小的空间内，并且/或者提高现有天线的带宽。

通常，系统设计人员使用反复试验的方法来添加 ESD 保护。那是否存在负面影响呢？仅使用组件级 ESD 规范不足以实现稳健的系统设计。我们的目标是预测最终手机设计的 ESD 性能，以创建一个提供 ESD 保护的万无一失、一次性过关的系统设计。

交变高压源为试样材料提供测试所需的高压电场环境。高压源有两种实现方式，一是直接选用高压发生设备，二是采用高压放大器，需要信号发生器输入一个幅值较低的控制信号，放大器将控制信号放大后输出。在交变电场空间电荷的测量中，需要协调交变高压和脉冲源输出在时序上的先后关系，测量特定相位点上的空间电荷分布情况。

静态电流 (IQ) 通常定义为集成电路 (IC) 在空载和非开关但启用状态下消耗的电流。广义上，静态电流是 IC 在任何超低功耗状态下消耗的输入电流，这一定义更有助于我们理解静态电流的内涵。

传统的汽车和电动汽车系统都依赖于无数电子设备的有效运行，以实现便利功能以及关键任务功能安全功能。虽然提出了各种各样的要求，但这些不同的应用从根本上要求能够在极端条件下运行，同时提供可靠、高性能的实时响应。

IGBT的电流是器件基本参数之一，显而易见FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模块。这样的理解对于日常工作交流来说是足够了，但对于一位设计工程师是远远不够的，而且业内充满着误解和流言。

在重负载时，如果MOSFET的体二极管的反向恢复时间trr较长，且有电流残留，则在超前臂的MOSFET关断时，寄生双极晶体管可能会误导通，从而损坏MOSFET。这种问题发生在由关断时产生的对漏源电容CDS的充电电流而使寄生双极晶体管自发地导通（误导通）、瞬间流过大电流时。

静电放电 (ESD) 现象从一开始就存在。我们第一次接触 ESD 往往是在孩童时代，在干燥的冬日触碰金属门把手时，会有种触电的感觉——这就是静电放电。这种短暂的不适感通常对人类来说不是问题，但是即使是少量的 ESD 也有可能会损毁敏感电路。

我们在第 1 部分介绍了 ESD 的基本概念以及系统高效 ESD 设计 (SEED)。本博客将为您介绍 SEED 工具箱中所有必要的部分。第 3 部分将介绍如何将 SEED 方法及建模和模拟一起用于优化系统级手机设计。

橡胶、塑料、电木等，作为绝缘材料，在我们的电子和电力产品设计时必不可少。但不知您想过没有，您选择的材料的电阻性能到底怎么样，在各种工作场景或温度情况下，其电阻或电阻率有多大，是否能满足产品的设计要求？

在产品的研发中，如何捕获长时间测试中信号的一个偶发异常，是工程师们经常遇到的问题。本文将为大家提供一种新的方式，仅需一台机器，工程师就可以对高达128路信号进行长时间可靠性监控测试。

冬天又到了！北京去年的几场严寒，让众多电动车主苦不堪言。每当寒潮来临，车辆续航里程断崖式下降。有的网友甚至调侃，每天开着“电动爹”上班，稍有伺候不周，脾气说来就来。

许多中高压MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）结构，而小于200V的产品大多具有沟槽MOS（U-MOS）结构。因此，当耐受电压VDSS＝600V时，Rdrift成为主导因素，当耐受电压是30V时，因素Rch的比例较高。

LEC2 Workbench系列技术博文主要关注莱迪思产品的应用开发问题。这些文章由莱迪思教育能力中心（LEC2）的FPGA设计专家撰写。LEC2是专门针对莱迪思屡获殊荣的低功耗FPGA和解决方案集合的全球官方培训服务供应商。

单个时钟域SPI实现的思路与两个时钟域非常相似。这里为了便于演示没有使用PLL。同时，也不需要sync_stage模块。由于是单个时钟，需要clock_generator来生成dac_sck所需的时钟下降沿条件，dac_sck则用作状态机dac_fsm的触发条件。

稳压二极管(又叫齐纳二极管)它的电路符号是：此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。

在传统的工业和制造环境中，监控工人安全、提高操作人员效率以及改进质量检测都是体力工作。如今，基于人工智能的机器视觉技术取代了许多低效的、劳动密集型的操作，并提高了可靠性、安全性和效率。本文将探讨如何通过部署人工智能相机，进一步提高性能，因为用于赋能人工智能机器视觉的数据就来自相机本身。

取样电压加在比较器A的同相输入端，与加在反相输入端的基准电压Uref相比较，两者的差值经放大器A放大后，控制串联调整管的压降，从而稳定输出电压。

跨阻放大器输出的电压与输入电流成比例。跨阻放大器通常被称为互阻放大器，尤其是半导体制造商喜欢这样叫。在网络分析中，跨阻放大器的一般描述是电流控制的电压源(CCVS)。