如图所示为RCV420基本电源和信号连接电路。该电路采用双电源供电，电源去耦电容采用1μF钽电容。为避免外电路造成的增益和CMR误差，设计电路板时应尽可能将去耦电容靠近放大器引脚。按图所示接地，应使接地电阻尽可能小。

当电压基准不用电平移位或有大的失调电压需要调节时，可采用如图所示电路。Rcv Corn端(13脚)必须为低阻，以确保电路有高的共模抑制比。

如图所示，该电路用于保护芯片内部的75Ω检测电阻，75Ω检测电阻只能经受40mA的连续电流和250mA、0．1s的瞬态电流。因此三种保护电路设计限流参数的出发点均由此产生。

如图所示，利用OPA237调节共模抑制比。将共模电压CMV接到Cr端，在输出端接电压表，调节200Ω电位器使电压表指示接近零。

如图所示，电路利用内部10V基准电源输出的10V电压，经电阻分压后取得 6．25V电压。由运放OPA237构成的射极跟随器作为隔离，向Ref In和Rcv Com端提供 6．25V电压。

如图所示，图中为两线RTD(电阻式温度检测器)。为了远端RTDs，建议采用三线形式，这时RG为383Q,，RLIN1为8060Ω。

如图所示，该电路的温度传感器采用三线RTD。若采用两线RTD，则将电阻RLIN2取消即可。

如图所示，RCM和RG分别用于提供一阶CMR和增益误差的修正。当3个RCV420重叠使用时，下表给出了典型的RCM、RG的阻值，以及没有修正的典型CMR和增益误差。如需进一步改进CMR和增益误差，可将RCM和RG用500kΩ电位器细调。

差动电流-电压变换电路如图所示，Vo=0.3125(I1-I2)，最大增益误差=0.1％(RCV420BG)。

如图所示，该电路采用串联电阻取样的方式对电源电流监视，因此对取样电阻要求较高，应选取温度特性好的电阻，如线绕电阻或金属膜电阻等。电阻取值由公式确定：Rx=Rs/(ILMAX/16mA)-1。其中ILMAX为最大负载电流。

如图l所示，LM193是低电压、低失调双电压比较器，为军用级芯片，可采用LM293／LM393／LM2093工业级或商业级芯片完成电路构成。LM193双电压比较器接成窗口比较电路，检测输出电压VOUT，并提供欠量程输出。

如图所示，RCV420由在反馈回路插入可调电阻来完成增益调节，但是增益的增加会导致共模抑制比降低。增益调节可由公式决定：。